报告题目：半导体紧凑模型技术

报告人：李泠 研究员（中科院微电子研究所）

报告时间：2018年5月26日（周六），下午16:00

报告地点：物理学院新楼5楼多功能厅

报告摘要：

半导体器件紧凑模型作为连接半导体制造商与电路设计者之间的桥梁，是半导体行业不可或缺的一环。随着CMOS工艺进步不断带来新的物理效应及电路设计者的要求不断提高，紧凑模型正在面临巨大的挑战。当前，新的紧凑模型技术正在吸引着人们的兴趣。本报告将对这些热点研究方向进行介绍，同时会介绍一些最新的研究进展。

报告人简介：

李泠，中科院微电子研究所研究员。从事新型半导体器件载流子输运，器件物理和紧凑模型技术研究。拓展了莫特理论，建立了统一的迁移率模型和爱因斯坦关系模型，首次在阻变存储器观测到热电效应并构建了热电传输模型。利用新的表面势方法，系统开发了薄膜晶体管, 2D材料晶体管和阻变存储器紧凑模型体系。在 Nature Communications, Physical Review B 和IEDM等发表论文60余篇。开发的紧凑模型技术应用于IMEC 128bit RFID电路设计。

邀请人：常胜副教授